Azərbaycan
Deutschland
Lietuva
Malta
ශ්රී ලංකාව
Türkmenistan
Türkiyə
Украина
Šiam straipsniui ar jo daliai trūksta išnašų į patikimus šaltinius Jūs galite padėti Vikipedijai pridėdami tinkamas išna
Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius
| Šiam straipsniui ar jo daliai trūksta išnašų į patikimus šaltinius. Jūs galite padėti Vikipedijai pridėdami tinkamas išnašas su šaltiniais. |
Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius ((angl. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOP, MOS arba MOSFET) - puslaidininkinis įtaisas, sudarytas iš metalo, oksido ir puslaidininkio, veikiantis elektrinio lauko reguliuojamo kanalo varžos kitimo principu. Kanalas nuo užtūros yra izoliuotas dielektriku (silicio dioksidu). Kanalai būna dviejų rūšių: pradiniai arba indukuoti. Tranzistorius buvo išrastas 1948 metais.
MOP lauko tranzistoriai turi tris valdymo elektrodus – G (Gate – užtūra), D (Drain – santaka), S (Source – ištaka). Ypatinga šio tranzistoriaus savybė yra, kad užtūros valdymo srovė – mikroamperinė, taip pat mažas galios kritimas ant paties elemento. Trūkumai: užtūra turi talpumą, tranzistorius bijo statinio krūvio.
Kaip ir visų tranzistorių, jų laidusis kanalas gali būti N ir P tipo. Pvz., MOP tranzistoriaus su N tipo laidžiuoju kanalu pagrindą sudaro P tipo puslaidininkis, kuris prie ištakos S (Source) ir santakos D (Drain) elektrodų yra gausiai legiruotas (padengtas) donorinėmis priemaišomis. Gaunamos dvi atskiros puslaidininkio N tipo sritys, kuriose gausu neigiamų krūvininkų, o tarp šių sričių ir pagrindo susidaro dvi pn sandūros.
MOP lauko tranzistoriuje su atidaromu n kanalu, puslaidininkyje yra ištirpinti donoriniai ir akceptoriniai atomai. Puslaidininkio sritis su donorinėmis priemaišomis - n sritis, o su akceptorinėmis priemaišomis - p sritis. Dvi n sritys prijungtos prie ištakos (S) ir santakos (D) elektrodų, o tarp n sričių lieka p sritis. Neutralioje būsenoje tarp n ir p sričių susidaro pn sandūra. Užtūros elektrodas prijungiamas prie galinčio poliarizuotis oksido (SiO2) sluoksnio, kuris skiria užtūros elektrodą nuo p srities. Prijungus įtampą tarp ištakos (S-) ir santakos (D+), srovė neteka, nes tarp ištakos ir santakos elektrodų ir jų n sričių yra nelaidi p sritis. Suteikus užtūrai (G+) teigiamą potencialą, silicio dioksido sluoksnis poliarizuojasi: šalia užtūros susikaupia neigiamas krūvis, o šalia p srities - teigiamas. Savo ruoštu teigiamas krūvis pritraukia nuo ištakos ir santakos n sričių neigiamus krūvininkus, ir taip šias dvi n sritis sujungia į vieną. Susidariusiu n laidžiuoju kanalu gali tekėti srovė, esant įtampai tarp ištakos ir santakos.
Autorius: www.NiNa.Az
Išleidimo data:
vikipedija, wiki, lietuvos, knyga, knygos, biblioteka, straipsnis, skaityti, atsisiųsti, nemokamai atsisiųsti, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, pictu, mobilusis, porn, telefonas, android, iOS, apple, mobile telefl, samsung, iPhone, xiomi, xiaomi, redmi, pornografija, honor, oppo, Nokia, Sonya, mi, pc, web, kompiuteris, Informacija apie Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius, Kas yra Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius? Ką reiškia Metalo, oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius?
Siam straipsniui ar jo daliai truksta isnasu į patikimus saltinius Jus galite padeti Vikipedijai pridedami tinkamas isnasas su saltiniais Metalo oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius angl metal oxide semiconductor field effect transistor MOP MOS arba MOSFET puslaidininkinis įtaisas sudarytas is metalo oksido ir puslaidininkio veikiantis elektrinio lauko reguliuojamo kanalo varzos kitimo principu Kanalas nuo uzturos yra izoliuotas dielektriku silicio dioksidu Kanalai buna dvieju rusiu pradiniai arba indukuoti Tranzistorius buvo israstas 1948 metais MOP lauko tranzistoriai turi tris valdymo elektrodus G Gate uztura D Drain santaka S Source istaka Ypatinga sio tranzistoriaus savybe yra kad uzturos valdymo srove mikroamperine taip pat mazas galios kritimas ant paties elemento Trukumai uztura turi talpuma tranzistorius bijo statinio kruvio Kaip ir visu tranzistoriu ju laidusis kanalas gali buti N ir P tipo Pvz MOP tranzistoriaus su N tipo laidziuoju kanalu pagrinda sudaro P tipo puslaidininkis kuris prie istakos S Source ir santakos D Drain elektrodu yra gausiai legiruotas padengtas donorinemis priemaisomis Gaunamos dvi atskiros puslaidininkio N tipo sritys kuriose gausu neigiamu kruvininku o tarp siu sriciu ir pagrindo susidaro dvi pn sanduros MOP lauko tranzistoriuje su atidaromu n kanalu puslaidininkyje yra istirpinti donoriniai ir akceptoriniai atomai Puslaidininkio sritis su donorinemis priemaisomis n sritis o su akceptorinemis priemaisomis p sritis Dvi n sritys prijungtos prie istakos S ir santakos D elektrodu o tarp n sriciu lieka p sritis Neutralioje busenoje tarp n ir p sriciu susidaro pn sandura Uzturos elektrodas prijungiamas prie galincio poliarizuotis oksido SiO2 sluoksnio kuris skiria uzturos elektroda nuo p srities Prijungus įtampa tarp istakos S ir santakos D srove neteka nes tarp istakos ir santakos elektrodu ir ju n sriciu yra nelaidi p sritis Suteikus uzturai G teigiama potenciala silicio dioksido sluoksnis poliarizuojasi salia uzturos susikaupia neigiamas kruvis o salia p srities teigiamas Savo ruostu teigiamas kruvis pritraukia nuo istakos ir santakos n sriciu neigiamus kruvininkus ir taip sias dvi n sritis sujungia į viena Susidariusiu n laidziuoju kanalu gali teketi srove esant įtampai tarp istakos ir santakos Sis straipsnis apie elektronika yra nebaigtas Jus galite prisideti prie Vikipedijos papildydami sį straipsnį Vikiteka Metalo oksido ir puslaidininkio lauko tranzistorius vaizdine ir garsine medziaga