Azərbaycan  AzərbaycanDeutschland  DeutschlandLietuva  LietuvaMalta  Maltaශ්‍රී ලංකාව  ශ්‍රී ලංකාවTürkmenistan  TürkmenistanTürkiyə  TürkiyəУкраина  Украина
Pagalba
www.datawiki.lt-lt.nina.az
  • Pradžia

Sudėtinis tranzistorius vieną tranzistorių imituojantis dviejų kartais ir daugiau tranzistorių junginys Sudėtinio tranzi

Sudėtinis tranzistorius

  • Pagrindinis puslapis
  • Sudėtinis tranzistorius
Sudėtinis tranzistorius
www.datawiki.lt-lt.nina.azhttps://www.datawiki.lt-lt.nina.az

Sudėtinis tranzistorius – vieną tranzistorių imituojantis dviejų (kartais ir daugiau) tranzistorių junginys. Sudėtinio tranzistoriaus bazė yra pirmojo tranzistoriaus bazė, emiteris – antrojo tranzistoriaus emiteris, kolektorius – kartu sujungti abiejų tranzistorių kolektoriai. Tranzistoriai sujungiami kaip parodyta schemoje. Jie gali būti vienodo galingumo arba antrasis tranzistorius gali būti galingesnis (maksimali kolektoriaus srovė yra antrojo tranzistoriaus leidžiama kolektoriaus srovė).

Praeityje šis mazgas buvo surenkamas iš atskirtų tranzistorių. Šiuo metu gaminami vadinamieji Darlingtono tranzistoriai – du pagal sudėtinio tranzistoriaus schemą sujungti tranzistoriai viename korpuse. Sidnėjus Darlingtonas užpatentavo galimybę patalpinti du ar tris tranzistorius į vieną korpusą, tačiau patentas neapima didesnio tranzistorių skaičiaus (toks patentas būtų apėmęs visas šiuolaikines integrines mikroschemas).

Ypatybės

Sudėtinis tranzistorius elgiasi kaip labai didelį srovės stiprinimo koeficientą turintis paprastas tranzistorius. Jo stiprinimo koeficientas:

βDarlington=β1×β2{\displaystyle \beta _{\mathrm {Darlington} }=\beta _{1}\times \beta _{2}}

Viename korpuse gaminamiems sudėtiniams tranzistoriams jis siekia 1000 ir daugiau, todėl juos atidaryti gali net ir labai nedidelė įėjimo srovė. Tačiau tokiam tranzistoriui atidaryti reikalinga didesnė įtampa (apie 1,2 V), kuriuos turi pakakti srovei per dvi bazės – emiterio sandūras tekėti:

VBE=VBE1+VBE2{\displaystyle V_{\mathrm {BE} }=V_{\mathrm {BE1} }+V_{\mathrm {BE2} }}

Sudėtinis tranzistorius taip pat yra palyginus lėtesnis, nes pirmasis tranzistorius negali efektyviai nuslopinti antrojo tranzistoriaus bazės srovės. Pastebėta, jog schema greičiau dirba jei tarp pirmojo tranzistoriaus emiterio ir antrojo tranzistoriaus bazės įterpiama kelių šimtų omų varža. Viename korpuse pagaminti sudėtiniai tranzistoriai dažnai turi ir šį rezistorių.

Sziklai pora

Kitas žinomas sudėtinio tranzistoriaus tipas yra Sziklai pora, pasiūlyta George C. Sziklai. Šiame tipe naudojami du tarpusavyje priešingos struktūros tranzistoriai. Sziklai pora turi tokį pat didelį srovės stiprinimo koeficientą, kaip ir Darlingtono pora, tačiau jai atidaryti pakanka maždaug pusės Darlingtono tranzistoriui reikalingos įtampos, apie 0,6 V (tiek pat reikia ir paprastam tranzistoriui). Ši schema taip pat turi geresnes dažnines savybes ir stabilesnė keičiantis temperatūrai.

Pastebėta, jog schema greičiau dirba jei tarp pirmojo tranzistoriaus kolektoriaus ir antrojo tranzistoriaus bazės įterpiama kelių šimtų omų varža. Viename korpuse pagaminta Sziklai pora dažnai turi ir šį rezistorių.

Garso stiprintuvai neretai reikalauja padidintos galios, priešingos struktūros tranzistorių poros. Praeityje, kuomet buvo sunku pagaminti galingesnius PNP struktūros tranzistorius, Sziklai ir Darlingtono poros būdavo naudojamos kartu. Sziklai pora su tokio pat tipo antruoju tranzistoriumi imituoja priešingos struktūros tranzistorių nei Darlingtono pora. Dabar tai retai pasitaiko, nes abiejų struktūrų tranzistoriai kainuoja panašiai.

Terminai

Anglų kalboje sudėtiniu tranzistoriui (compound transistor) vadinama Sziklai pora. Senesnėje lietuviškoje radijo mėgėjų literatūroje sudėtiniu tranzistoriumi buvo vadinama pirmoji, iš vienodos struktūros tranzistorių sudaryta schema.

Šaltiniai

  1. Products, Rod Elliott - Elliott Sound. „Compound vs Darlington“. sound-au.com. Nuoroda tikrinta 2016-09-14.
  2. Darlington-Schaltung / Darlington-Transistor. Elektronik Kompendium [1]
  3. Sudėtinio transistoriaus patentas (U.S. Patent 2,663,806). [2]
  4. A.Bieliauskas (1972) Tranzistorinė technika mėgėjams. Vilnius, Mintis, 304 p.


Tranzistoriniai stiprintuvai

Bendras emiteris  | Bendras kolektorius | Bendra bazė | Sudėtinis tranzistorius |  | Invertorius

Autorius: www.NiNa.Az

Išleidimo data: 21 Lie, 2025 / 02:58

vikipedija, wiki, lietuvos, knyga, knygos, biblioteka, straipsnis, skaityti, atsisiųsti, nemokamai atsisiųsti, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, pictu, mobilusis, porn, telefonas, android, iOS, apple, mobile telefl, samsung, iPhone, xiomi, xiaomi, redmi, pornografija, honor, oppo, Nokia, Sonya, mi, pc, web, kompiuteris, Informacija apie Sudėtinis tranzistorius, Kas yra Sudėtinis tranzistorius? Ką reiškia Sudėtinis tranzistorius?

Sudetinis tranzistorius viena tranzistoriu imituojantis dvieju kartais ir daugiau tranzistoriu junginys Sudetinio tranzistoriaus baze yra pirmojo tranzistoriaus baze emiteris antrojo tranzistoriaus emiteris kolektorius kartu sujungti abieju tranzistoriu kolektoriai Tranzistoriai sujungiami kaip parodyta schemoje Jie gali buti vienodo galingumo arba antrasis tranzistorius gali buti galingesnis maksimali kolektoriaus srove yra antrojo tranzistoriaus leidziama kolektoriaus srove Sudetinis tranzistorius Praeityje sis mazgas buvo surenkamas is atskirtu tranzistoriu Siuo metu gaminami vadinamieji Darlingtono tranzistoriai du pagal sudetinio tranzistoriaus schema sujungti tranzistoriai viename korpuse Sidnejus Darlingtonas uzpatentavo galimybe patalpinti du ar tris tranzistorius į viena korpusa taciau patentas neapima didesnio tranzistoriu skaiciaus toks patentas butu apemes visas siuolaikines integrines mikroschemas YpatybesSudetinis tranzistorius elgiasi kaip labai didelį sroves stiprinimo koeficienta turintis paprastas tranzistorius Jo stiprinimo koeficientas bDarlington b1 b2 displaystyle beta mathrm Darlington beta 1 times beta 2 Viename korpuse gaminamiems sudetiniams tranzistoriams jis siekia 1000 ir daugiau todel juos atidaryti gali net ir labai nedidele įejimo srove Taciau tokiam tranzistoriui atidaryti reikalinga didesne įtampa apie 1 2 V kuriuos turi pakakti srovei per dvi bazes emiterio sanduras teketi VBE VBE1 VBE2 displaystyle V mathrm BE V mathrm BE1 V mathrm BE2 Sudetinis tranzistorius taip pat yra palyginus letesnis nes pirmasis tranzistorius negali efektyviai nuslopinti antrojo tranzistoriaus bazes sroves Pastebeta jog schema greiciau dirba jei tarp pirmojo tranzistoriaus emiterio ir antrojo tranzistoriaus bazes įterpiama keliu simtu omu varza Viename korpuse pagaminti sudetiniai tranzistoriai daznai turi ir sį rezistoriu Sziklai poraSziklai pora Kitas zinomas sudetinio tranzistoriaus tipas yra Sziklai pora pasiulyta George C Sziklai Siame tipe naudojami du tarpusavyje priesingos strukturos tranzistoriai Sziklai pora turi tokį pat didelį sroves stiprinimo koeficienta kaip ir Darlingtono pora taciau jai atidaryti pakanka mazdaug puses Darlingtono tranzistoriui reikalingos įtampos apie 0 6 V tiek pat reikia ir paprastam tranzistoriui Si schema taip pat turi geresnes daznines savybes ir stabilesne keiciantis temperaturai Pastebeta jog schema greiciau dirba jei tarp pirmojo tranzistoriaus kolektoriaus ir antrojo tranzistoriaus bazes įterpiama keliu simtu omu varza Viename korpuse pagaminta Sziklai pora daznai turi ir sį rezistoriu Garso stiprintuvai neretai reikalauja padidintos galios priesingos strukturos tranzistoriu poros Praeityje kuomet buvo sunku pagaminti galingesnius PNP strukturos tranzistorius Sziklai ir Darlingtono poros budavo naudojamos kartu Sziklai pora su tokio pat tipo antruoju tranzistoriumi imituoja priesingos strukturos tranzistoriu nei Darlingtono pora Dabar tai retai pasitaiko nes abieju strukturu tranzistoriai kainuoja panasiai TerminaiAnglu kalboje sudetiniu tranzistoriui compound transistor vadinama Sziklai pora Senesneje lietuviskoje radijo megeju literaturoje sudetiniu tranzistoriumi buvo vadinama pirmoji is vienodos strukturos tranzistoriu sudaryta schema SaltiniaiProducts Rod Elliott Elliott Sound Compound vs Darlington sound au com Nuoroda tikrinta 2016 09 14 Darlington Schaltung Darlington Transistor Elektronik Kompendium 1 Sudetinio transistoriaus patentas U S Patent 2 663 806 2 A Bieliauskas 1972 Tranzistorine technika megejams Vilnius Mintis 304 p Tranzistoriniai stiprintuvaiBendras emiteris Bendras kolektorius Bendra baze Sudetinis tranzistorius Invertorius

Naujausi straipsniai
  • Liepa 22, 2025

    Real Estelí FC

  • Liepa 21, 2025

    Ready for the Weekend

  • Liepa 21, 2025

    Reunjono vyrų futbolo rinktinė

  • Liepa 21, 2025

    Retransliatorius

  • Liepa 22, 2025

    Rastenburgas

www.NiNa.Az - Studija

    Susisiekite
    Kalbos
    Susisiekite su mumis
    DMCA Sitemap
    © 2019 nina.az - Visos teisės saugomos.
    Autorių teisės: Dadash Mammadov
    Nemokama svetainė, kurioje galima dalytis duomenimis ir failais iš viso pasaulio.
    Viršuje